Çekirdekli(tohumlu) dökme silisyum, dökme mono (veya yarı mono) kristal silisyum olarak da bilinir. Çok kristalli silisyuma (mc-Si) benzer büyük bir potada yetiştirilir. Ancak mc-Si üretiminden farklı olarak, potanın alt kısmına 156 × 156 mm² boyutundaki tohumlar yerleştirilir. Soğutma sırasındaki termal gradyan(düşüm) nedeniyle, dış bloklar boyunca büyüyen tuğlalar kısmen tek kristalli ve çok kristalli yapıya sahipken, iç bloklar neredeyse tamamen monokristalindir. Mc-Si’deki oksijen konsantrasyonu tipik olarak monokristal silisyumdan daha düşük olduğundan, bu wafer(Levha)lar bor-oksijen kusurları nedeniyle rekombinasyona daha az duyarlıdır. Bununla birlikte, mono dökümün önemli bir dezavantajı, dislokasyonların yüksek varlığıdır. Dökme-mono levhaların(wafer) tane sınırları olmadığından, döküm işlemi sırasında ortaya çıkan termal stres dislokasyonların oluşumu ile giderilir. Optik tekniklerle görülemeyen bu çıkıklar rekombinasyon etkindir ve güneş hücresinin performansını önemli ölçüde düşürebilir. Ayrıca, yüksek bir dislokasyon yoğunluğu (10^6 cm-3’ün üzerinde), gaz alma işlemlerinin etkinliğini de düşürebilir. Yüksek sıcaklıkta difüzyon (Geçişme veya Yayılma )prosesleri sırasında meydana gelen gaz çıkarma işlemi, kirliliklerin çoğu (örneğin demir) güneş hücresinin yüksek katkılı fosfor veya bor bölgelerine ayrıldığından, yığındaki safsızlık konsantrasyonunu azalttığından, yabancı maddeleri yığından uzaklaştırır.
Döküm süreci aşağıdaki animasyonda şematik olarak gösterilmiştir.
